【共同社7月17日電】以色列半導體代工企業高塔半導體(Tower Semiconductor)14日宣布,將在日本新潟縣妙高市與富山縣魚津市設置光通訊半導體製造據點。總投資額約6000億日圓(約合新台幣120億元)。日本經濟產業省依據《經濟安全保障推進法》核准該建設計畫,並決定提供約1600億日圓補助。
用於光通訊的半導體可實現高速通訊,同時降低耗電量。妙高市與魚津市現有設施將進行擴建,以提升產能。預計2027年5月開始供貨。作為補助條件,經產省要求持續生產10年,並在供需緊張時優先供貨。
據經產省介紹,高塔半導體是一家全球性企業,在美國與義大利也設有據點。此外,公司亦於美國和以色列上市,截至7月市值約達5兆日圓。
隨著人工智慧(AI)普及,預料電力消耗將增加。由於可促進高速通訊與節能的次世代技術重要性日益提升,用於光通訊的半導體被視為不可或缺。(完)
文章引用自 https://tchina.kyodonews.net/articles/-/10982















